企业简介
上海新傲科技股份有限公司 main business:研究、开发、生产、加工高端硅基集成电路材料、相关技术及相关产品，销售自产产品以及提供相关的技术咨询和售后服务，自有房屋租赁。 【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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上海新傲科技股份有限公司的工商信息
- 310000400271738
- 913100007034799355
- 存续（在营、开业、在册）
- 股份有限公司(中外合资、未上市)
- 2001年07月25日
- 王曦
- 31500.000000
- 2001年07月25日 至 2051年07月24日
- 上海市工商局
- 2001年07月25日
- 上海市嘉定区普惠路200号上海中科高科技工业园区
- 研究、开发、生产、加工高端硅基集成电路材料、相关技术及相关产品，销售自产产品以及提供相关的技术咨询和售后服务，自有房屋租赁。 【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】
分支机构
上海新傲科技股份有限公司的域名
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | 上海新傲科技股份有限公司 | http://www.simgui.com.cn |
| 网站 | 上海新傲科技股份有限公司 | www.simgui.com.cn |
上海新傲科技股份有限公司的商标信息
上海新傲科技股份有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN105762061A | 一种氮化物的外延生长方法 | 2016.07.13 | 本发明提供一种氮化物的外延生长方法，包括如下步骤：提供一衬底；在一第一温度及第一氨气流量下，在所述衬 |
| 2 | CN103745928B | 具有应变沟道的晶体管制备方法以及具有应变沟道的晶体管 | 2016.08.24 | 本发明提供了一种具有应变沟道的晶体管制备方法以及具有应变沟道的晶体管。所述方法包括如下步骤：提供衬底 |
| 3 | CN103745914B | 应变层的生长方法以及带有应变层的衬底 | 2016.06.22 | 本发明提供了一种应变层的生长方法以及带有应变层的衬底。所述方法包括如下步骤：提供衬底，所述衬底包括支 |
| 4 | CN105755536A | 一种采用AlON缓冲层的氮化物的外延生长技术 | 2016.07.13 | 本发明提供一种采用AlON缓冲层的氮化物的外延生长技术，所述技术包括如下步骤：提供一衬底；在所述衬底 |
| 5 | CN105762065A | 一种高晶体质量的氮化物外延生长的方法 | 2016.07.13 | 本发明提供一种高晶体质量的氮化物外延生长的方法，包括如下步骤：(a)提供一衬底；(b)在第一温度下， |
| 6 | CN103745998B | 沟槽栅功率场效应晶体管 | 2016.10.26 | 本发明提供了一种沟槽栅功率场效应晶体管，包括：源极层和漏极层，所述源极层设置在衬底的第一表面，所述漏 |
| 7 | CN101599451A | 对带有绝缘埋层的半导体衬底进行边缘倒角的方法 | 2009.12.09 | 一种对带有绝缘埋层的半导体衬底进行边缘倒角的方法，包括：提供带有绝缘埋层的半导体衬底，所述绝缘体上硅 |
| 8 | CN103762232B | 带有绝缘埋层的高压晶体管 | 2016.11.16 | 本发明提供了一种带有绝缘埋层的高压晶体管，所述绝缘埋层将衬底分割成器件层和支撑层，所述器件层具有第一 |
| 9 | CN106601615A | 提高键合强度的退火方法 | 2017.04.26 | 本发明提供了一种提高键合强度的退火方法，所述方法包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底具有一键合界面；第 |
| 10 | CN103560106B | 低翘曲度的半导体衬底的制备方法 | 2017.01.18 | 本发明提供一种低翘曲度的半导体衬底的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供第一衬底及第二衬底，所述 |
| 11 | CN103745927B | 静电感应晶体管的制造方法以及静电感应晶体管 | 2017.01.04 | 本发明提供了一种静电感应晶体管的制造方法以及静电感应晶体管。所述方法包括如下步骤：提供导电类型为N型 |
| 12 | CN103745923B | 氮化镓衬底上生长栅介质的方法及电学性能测试方法 | 2016.08.17 | 本发明提供一种氮化镓衬底上生长栅介质的方法及电学性能测试方法，所述氮化镓衬底上生长栅介质的方法包括如 |
| 13 | CN103745999B | 带有绝缘埋层的沟槽栅功率场效应晶体管 | 2016.08.17 | 本发明提供了一种带有绝缘埋层的沟槽栅功率场效应晶体管，包括：源极层和漏极层，所述源极层设置在衬底的第 |
| 14 | CN103762229B | 具有复合栅介质的横向功率器件 | 2016.08.17 | 一种具有复合栅介质的横向功率器件，包括半导体衬底、位于所述半导体衬底表面的绝缘埋层、位于所述绝缘埋层 |
| 15 | CN205412591U | 水喷淋处理与燃烧废气净化装置 | 2016.08.03 | 本实用新型提供一种水喷淋处理与燃烧废气净化装置，包括水喷淋洗涤处理块及废气燃烧处理块，所述水喷淋洗涤 |
| 16 | CN105762063A | 一种硅基氮化物外延生长的方法 | 2016.07.13 | 本发明提供一种硅基氮化物外延生长的方法，包括如下步骤：(a)提供一衬底；(b)在氢气气氛及第一温度下 |
| 17 | CN105762064A | 用于氮化物生长硅衬底实时图形化的方法 | 2016.07.13 | 本发明提供一种用于氮化物生长硅衬底实时图形化的方法，包括如下步骤：(a)提供一衬底；(b)利用金属液 |
| 18 | CN103745989B | 高电子迁移率晶体管 | 2016.07.06 | 本发明提供了一种高电子迁移率晶体管，形成于一半导体衬底表面，所述半导体表面设置有异质结层，所述异质结 |
| 19 | CN103745913B | 应变层的生长方法以及带有应变层的衬底 | 2016.07.06 | 本发明提供了一种应变层的生长方法以及带有应变层的衬底。所述方法包括如下步骤：提供衬底，所述衬底包括支 |
| 20 | CN103745915B | 应变层的生长方法以及带有应变层的衬底 | 2016.06.29 | 本发明提供了一种应变层的生长方法以及带有应变层的衬底。所述方法包括如下步骤：提供衬底，所述衬底包括支 |
| 21 | CN205329209U | 鼓泡器 | 2016.06.22 | 本实用新型提供一种鼓泡器，包括一管本体，用于存放液体反应物；第一进气管插入所述管本体中，用于将气体通 |
| 22 | CN103745941B | 栅介质的电学性能的测试方法 | 2016.06.08 | 本发明提供一种栅介质的电学性能的测试方法，包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底包括一绝缘埋层以及位于所 |
| 23 | CN103745996B | 带有部分绝缘埋层的横向功率器件及制作方法 | 2016.06.01 | 本发明提供一种带有部分绝缘埋层的横向功率器件，包括支撑衬底、位于所述支撑衬底表面的绝缘埋层和位于所述 |
| 24 | CN205280245U | 温度传感器在线泄露的检查装置 | 2016.06.01 | 本实用新型提供一种温度传感器在线泄露的检查装置，所述温度传感器包括至少一端部裸露在设备之外的套管，所 |
| 25 | CN103077885B | 受控减薄方法以及半导体衬底 | 2016.06.01 | 本发明提供了一种受控减薄方法以及半导体衬底，所述受控减薄方法包括如下步骤：提供一半导体衬底；在所述半 |
| 26 | CN103745952B | 带有绝缘埋层的混晶衬底的制备方法 | 2016.04.06 | 本发明提供了一种带有绝缘埋层的混晶衬底的制备方法，包括如下步骤：提供第一衬底和第二衬底，所述第一衬底 |
| 27 | CN103258778B | 带有空腔的衬底的制备方法 | 2016.02.24 | 本发明提供了一种带有空腔的衬底的制备方法，包括如下步骤：提供支撑衬底和器件衬底，所述支撑衬底用于键合 |
| 28 | CN102637607B | 三维封装方法 | 2016.02.24 | 本发明提供了一种三维封装方法，包括如下步骤：提供半导体衬底和支撑衬底，所述半导体衬底依次包括重掺杂层 |
| 29 | CN102909639B | 半导体衬底的表面处理方法 | 2016.02.24 | 本发明提供了一种半导体衬底的表面处理方法以及半导体衬底的制作方法。所述半导体衬底的表面处理方法包括如 |
| 30 | CN105261586A | 带有电荷陷阱和绝缘埋层衬底的制备方法 | 2016.01.20 | 本发明提供了一种带有电荷陷阱和绝缘埋层衬底的制备方法，包括如下步骤：提供支撑衬底和器件衬底；在所述支 |
| 31 | CN105226067A | 带有电荷陷阱和绝缘埋层的衬底及其制备方法 | 2016.01.06 | 本发明提供一种带有电荷陷阱和绝缘埋层的衬底及其制备方法。所述带有电荷陷阱和绝缘埋层的衬底，包括支撑层 |
| 32 | CN101599452A | 腐蚀带有绝缘埋层的衬底边缘的方法 | 2009.12.09 | 一种腐蚀带有绝缘埋层的衬底边缘的方法，包括如下步骤：提供带有绝缘埋层的衬底，包括支撑层、绝缘埋层和顶 |
| 33 | CN101707187A | 一种带有绝缘埋层的晶圆的表面处理方法 | 2010.05.12 | 一种带有绝缘埋层的晶圆的表面处理方法，包括如下步骤：提供一晶圆，所述晶圆包括支撑衬底、顶层半导体层以 |
| 34 | CN105127890A | 抛光头 | 2015.12.09 | 本发明提供了一种抛光头，包括：抛头基座；抛头基座表面的固定环；以及连接固定环与抛头基座的垫片；所述垫 |
| 35 | CN105140107A | 带有电荷陷阱和绝缘埋层衬底的制备方法 | 2015.12.09 | 本发明提供了一种带有电荷陷阱和绝缘埋层衬底的制备方法，包括如下步骤：提供支撑衬底；在所述支撑衬底表面 |
| 36 | CN105047752A | 硅衬底的表面改性方法 | 2015.11.11 | 本发明提供了一种硅衬底的表面改性方法，用于在MOCVD工艺生长GaN衬底前的预处理，包括如下步骤：采 |
| 37 | CN105039933A | 用于外延生长的托盘 | 2015.11.11 | 本发明提供了一种用于外延生长的托盘，所述托盘的第一表面包括多个用于平置外延衬底的卡槽，所述卡槽底部设 |
| 38 | CN105047699A | 用于同氮化物形成欧姆接触的金属叠层及其制作方法 | 2015.11.11 | 本发明提供了一种用于同氮化物形成欧姆接触的金属叠层及其制作方法。所述金属叠层包括直接同氮化物接触的T |
| 39 | CN105047695A | 用于高电子迁移率晶体管的高阻衬底以及生长方法 | 2015.11.11 | 本发明提供了一种用于高电子迁移率晶体管的高阻衬底及其生长方法。所述衬底包括支撑衬底和支撑衬底表面的高 |
| 40 | CN105047692A | 用于高电子迁移率晶体管的衬底 | 2015.11.11 | 本发明提供了一种用于高电子迁移率晶体管的衬底，包括支撑衬底、支撑衬底表面的高阻层、高阻层表面的沟道层 |
| 41 | CN102983074B | 减薄器件层的方法以及衬底的制备方法 | 2015.10.14 | 本发明一种减薄器件层的方法以及衬底的制备方法，所述减薄器件层的方法，包括如下步骤：提供一复合衬底，所 |
| 42 | CN103247568B | 带有图形化绝缘埋层的衬底的制作方法 | 2015.08.26 | 本发明提供了一种带有图形化绝缘埋层的衬底的制作方法，包括如下步骤：提供支撑衬底和器件衬底；在支撑衬底 |
| 43 | CN102768981B | 带有绝缘埋层衬底的制备方法 | 2015.08.26 | 本发明提供了一种带有绝缘埋层衬底的制备方法，包括如下步骤：提供具有相同材料的支撑衬底和器件衬底；采用 |
| 44 | CN103400797B | 带有空腔的半导体衬底的制备方法 | 2015.08.26 | 本发明提供一种带有空腔的半导体衬底的制备方法，包括如下步骤：提供第一衬底与第二衬底，第一衬底包括支撑 |
| 45 | CN102569061B | 带有绝缘埋层的辐射加固材料及其制备方法 | 2014.12.17 | 本发明涉及半导体材料制备领域，提供一种带有绝缘埋层的辐射加固材料的制备方法，包括步骤：提供器件衬底和 |
| 46 | CN103915317A | 应变层的生长方法以及带有应变层的衬底 | 2014.07.09 | 本发明提供了一种应变层的生长方法以及带有应变层的衬底。所述方法包括如下步骤：提供衬底，所述衬底包括支 |
| 47 | CN102201358B | 表征衬底表面性质的装置以及方法 | 2014.06.04 | 一种表征衬底表面性质的装置，用于夹持衬底以对其表面进行选择性遮挡，以便对衬底表面进行选择性腐蚀，包括 |
| 48 | CN102201362B | 一种制备任意厚度的带有绝缘埋层的衬底的方法 | 2014.05.14 | 一种制备任意厚度的带有绝缘埋层的衬底的方法，采用了研磨的方法将器件衬底和支撑衬底研磨减薄到接近目标厚 |
| 49 | CN103762232A | 带有绝缘埋层的高压晶体管 | 2014.04.30 | 本发明提供了一种带有绝缘埋层的高压晶体管，所述绝缘埋层将衬底分割成器件层和支撑层，所述器件层具有第一 |
| 50 | CN103762156A | 半导体衬底的制作方法、半导体衬底以及高压晶体管 | 2014.04.30 | 本发明提供了一种半导体衬底的制作方法、半导体衬底以及高压晶体管，所述高压晶体管制作在带有绝缘层的半导 |
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